2021-05-13
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這個階段主要是以1947年雙極性晶體管的發(fā)明為標志。此后，半導體材料的這一特性得到較廣泛應用。史密斯（C.S.Smith）與1945發(fā)現(xiàn)了硅與鍺的壓阻效應，即當有外力作用于半導體材料時，其電阻將明顯發(fā)生變化。依據(jù)此原理制成的歐姆龍OMRON數(shù)字壓力傳感器是把應變電阻片粘在金屬薄膜上，即將力信號轉化為電信號進行測量。此階段小尺寸大約為1cm。
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更新日期
2020-11-03 - 02
廠商性質
經(jīng)銷商 - 03
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